Домой Технологии Samsung приступила к выпуску микросхем по 3-нм технологии

Samsung приступила к выпуску микросхем по 3-нм технологии

245
0

Samsung Electronics сообщила о старте производства микросхем по 3-нм технологии на основе транзисторов GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Южнокорейскому чипмейкеру удалось опередить конкурентов в этом направлении. К примеру, тайваньский гигант TSMC рассчитывает наладить серийный выпуск 3-нм продукции во второй половине этого года.

Samsung приступила к выпуску микросхем по 3-нм технологии

Отличительной чертой 3-нм технологии Samsung является компоновка MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Оно подразумевает использование «нанолистов» с широкими каналами, что обеспечивает более высокую производительность и энергоэффективность относительно прошлой GAA-технологии. Вдобавок Samsung может настроить ширину каналов в зависимости от потребностей заказчика, дополнительно улучшив быстродействие или снизив энергопотребление.

Samsung приступила к выпуску микросхем по 3-нм технологии

Если сравнивать с 5-нм нормами, то первое поколение 3-нм технологии обеспечивает 16% уменьшение площади чипов, а также позволяет улучшить производительность на 23% и снизить энергопотребление на 45%. Во втором поколении Samsung рассчитывает снизить энергопотребление до 50%, повысить быстродействие на 30% и уменьшить площадь на 35%.

Изначально 3-нм техпроцесс Samsung будет использоваться при выпуске микросхем для сферы высокопроизводительных вычислений, а спустя некоторое время и при производстве мобильных процессоров.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь