Как и производители процессоров, выпускающие микросхемы оперативной памяти компании начинают планомерный переход на использование EUV-литографии, и южнокорейская SK hynix не является исключением. В официальном пресс-релизе компания сообщает о начале массового производства восьмигигабитных микросхем памяти типа LPDDR4–4266 по техпроцессу класса 1a нм с применением EUV-литографии. Производители смартфонов такие микросхемы памяти начнут получать в текущем полугодии.
Источник изображения: SK hynix Как утверждает корейский производитель, переход на EUV в сочетании с четвёртым поколением технологии 10-нм класса позволил увеличить плотность размещения микросхем оперативной памяти на одной кремниевой пластине на 25%. Уровень энергопотребления при этом сократился на 20%, а с первого квартала следующего года применять литографию класса 1a нм компания начнёт при производстве микросхем памяти типа DDR5.
