Домой Технологии TSMC форсирует запуск новых производственных технологий

TSMC форсирует запуск новых производственных технологий

13
0

Контрактный производитель микросхем TSMC на ежегодном научно-техническом симпозиуме поделился свежей информацией о разработке технологических процессов N6RF, N5A, N4 и N3.

TSMC форсирует запуск новых производственных технологий

4-нм техпроцесс N4 является модернизацией узла N5 с дополнительными слоями литографии, но будет предлагать более высокую производительность, энергоэффективность и плотность транзисторов по сравнению со своим предшественником. По данным TSMC, рисковое производство N4 намечено на третий квартал 2021 года, а серийный выпуск на конец года.

В свою очередь N3 можно считать очередным опорным техпроцессом в дорожной карте TSMC. Узел основан на архитектуре FinFET и сможет предложить увеличение плотности транзисторов до 70%, вычислительной мощности до 15% и сокращении потребления до 30% в сравнении с N5. Микросхемы по нормам 3-нм начнут сходить с конвейеров в конце 2022 года.

TSMC форсирует запуск новых производственных технологий

Во время выступления представители TSMC также анонсировали технологический узел N5A, предназначенный для автомобильных приложений. С точки зрения производительности и эффективности он будет предлагать те же возможности, что и N5, но с добавлением соответствия требованиям стандарта AEC-Q100 Grade 2.

Кроме того, TSMC рассказала о техпроцессе N6RF, специально разработанном для беспроводных решений 5G RF и WiFi 6/6E. Предыдущее поколение микросхем связи было основано на 16-нм узле шестилетней давности, поэтому в этом направлении можно ожидать значительных улучшений по мере выпуска новых продуктов.

Наконец, TSMC объявила о расширении своих возможностей 3D компоновки и упаковки чипов. Позже в этом году клиенты могут получить выгоду от возросшего количества слоев при использовании технологий InFO_oS и CoWoS. Что касается мобильных приложений, компания представила технологию InFO_B, предназначенную для упаковки DRAM в компактную сборку.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь